TEMによる構造可視化受託サービス

透過電子顕微鏡（TEM）は、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像させることで、ナノスケールでの微細構造の観察、元素分析を行うことができる分析手法です。

本サービスでは、観察だけでなく、前処理、断面作製、元素分析、必要に応じた追加分析の検討まで、開発・評価・不具合解析に必要な情報取得を支援します。

透過電子顕微鏡「Spectra Ultra」は原子分解能イメージングと高度な分析機能を融合した最先端の収差補正TEMです。

透過電子顕微鏡「JEM-F200」は高分解能観察と高度な分析性能を兼ね備えた多機能型FE-TEM（電界放出形透過電子顕微鏡）です。冷陰極電界放出電子銃（Cold FEG）を搭載し、高輝度・高安定な電子線により、ナノスケールでの高精度な観察が可能です。

FIB（focused Ion Beam）加工法とは、Gaなどのイオンをナノレベルに集束し、材料表面に照射することで、微細加工・断面作製を高精度に実施する技術です。
装置付属のSEMで観察することにより、目的箇所へのピンポイント加工や高品質な断面作製を実現し、ナノスケールでの構造解析や欠陥解析などの評価を高精度に実施することが可能です。

当センターは、リチウムイオン電池の正極・負極材料解析に豊富な知見を有しています。LiB材料では、粒子内部の構造変化、表面被膜、界面反応、元素偏在、劣化由来の局所変化などが性能や寿命に大きく影響します。こうした現象は複雑で、しかも試料によっては電子線ダメージを受けやすいため、観察・分析には高度なノウハウが求められます。

半導体デバイスのTEM解析では、FIB加工により観察対象箇所をピンポイントで抽出し、目的（出来栄え評価、欠陥観察、不良解析など）に応じた高精度な観察を行っています。
さらに、必要に応じてEDXやEELSなどの元素分析を組み合わせることで、微細化が進む半導体デバイスにおいても、課題の本質に迫る高付加価値な解析を提供しています。

二次元断面像では把握しきれない構造に対して、当センターでは電子線トモグラフィおよびEDXトモグラフィによる三次元解析を行っています。ナノ材料や複雑なデバイスでは、粒子形状、空隙ネットワーク、析出物の分布、元素偏在の立体配置など、三次元で初めて理解できる情報が少なくありません。トモグラフィでは、試料を連続的に傾斜させて得た像列から3D再構成を行い、形状・内部構造を立体的に評価します。さらにEDXを組み合わせることで、元素分布を三次元で可視化することも可能です。

観察目的に応じて、装置や関連分析装置を組み合わせて評価します。